| 序号 | 登记号 | 布图设计名称 | 申请日 | 公告日 | 布图设计权利人 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | BS.255006721 | 基于 python生成的180nm BCD MOM电容测试结构 | 2025年10月22日 |
2026年02月27日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 2 | BS.255006713 | 1.8V NMOSFET测试结构 | 2025年10月22日 |
2026年02月27日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 3 | BS.255006705 | 180nm二极管测试单元结构 | 2025年10月22日 |
2026年02月27日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 4 | BS.255006691 | Nwell AA电阻模型测试结构 | 2025年10月22日 |
2026年02月27日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 5 | BS.255006683 | 5V NMOSFET测试结构 | 2025年10月22日 |
2026年02月27日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 6 | BS.255000219 | 2.5V多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 7 | BS.255000227 | 2.5V多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 8 | BS.255000235 | 2.5V多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 9 | BS.255000243 | 对称多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 10 | BS.255000251 | 小电流多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 11 | BS.25500026X | 非对称多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2025年01月15日 |
2025年06月13日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 12 | BS.245005382 | 1.2V多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2024年04月19日 |
2024年12月18日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 13 | BS.245005374 | 2.5V多晶硅 eFuse存储单元测试结构 | 2024年04月19日 |
2024年12月18日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 14 | BS.245004882 | 多晶硅熔丝器件 | 2024年04月10日 |
2024年09月06日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 15 | BS.245004890 | 多晶硅熔丝器件 | 2024年04月10日 |
2024年09月06日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 16 | BS.245004866 | 多晶硅熔丝器件 | 2024年04月10日 |
2024年08月30日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
| 17 | BS.245004874 | 多晶硅熔丝器件 | 2024年04月10日 |
2024年08月30日 |
浙江创芯集成电路有限公司 |
