BS.18501433X-SSC8120GS8增强型N沟道mosfet芯片- 上海晶岳电子有限公司

2019年12月06日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.18501433X的集成电路，该集成电路名称为 SSC8120GS8增强型N沟道mosfet芯片，由上海晶岳电子有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.18501433X

布图设计申请日：

2018年12月10日

公告日期：

2019年12月06日

公开（公告）号：

20659

布图设计名称：

SSC8120GS8增强型N沟道mosfet芯片

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

线性

布图设计权利人：

上海晶岳电子有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

朱金伟

布图设计创作完成日：

2018年11月26日

代理人：

郭蔚

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

上海市松江区九亭镇九杜路新虹桥企业天地817号

上海晶岳电子有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

Document

拖动滑块完成拼图