BS.255006683-5V NMOSFET测试结构- 浙江创芯集成电路有限公司

2026年02月27日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.255006683的集成电路，该集成电路名称为 5V NMOSFET测试结构，由浙江创芯集成电路有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.255006683

布图设计申请日：

2025年10月22日

公告日期：

2026年02月27日

公开（公告）号：

93717

布图设计名称：

5V NMOSFET测试结构

布图设计结构：

布图设计技术：

布图设计功能：

布图设计权利人：

浙江创芯集成电路有限公司

布图设计权利人国籍：

布图设计创作人：

吕玉洁、欧阳平、陈文睿、寿国平、马奕涛、王飞、穆雯婧

布图设计创作完成日：

2024年11月28日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

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同日公布集成电路设计

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